第191章 追光二期攻EUV(1 / 2)
深城总部顶层的灯光,在二十五周年庆典的喧嚣散去后,并未熄灭,反而亮得更加执着,如同夜海中指引航向的灯塔。
庆典的鲜花与掌声已被收起,取而代之的是悬挂在战略指挥中心巨大电子屏上的,一幅全新的作战示意图——「追光计划」二期,EUV攻坚战总览图。
图上清晰标注着三路大军的进军路线丶技术节点与攻克时限,红丶蓝丶黄三色箭头,如同三柄利剑,直指那座名为「极紫外光刻」的技术珠峰。
陈醒站在图前,身后是公司所有核心高管。庆典上宣布的「领跑」宣言言犹在耳,但此刻,每个人都清楚,口号必须踏踏实实地踩在每一个原子丶每一束光的精度上。
「同志们,庆典结束了。」
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陈醒的声音打破了沉寂,没有激昂的动员,只有冰冷的理性。
「周明带来的消息大家都知道了。阿斯莫的管制升级,不是警告,是宣战。他们想把我们永远锁死在28nm的舒适区,扼杀我们向更高制程进军的所有可能。我们没有任何退路,『追光计划』二期,从现在起,进入战时状态!」
他的目光扫过众人,最终落在林薇丶金秉洙和梁志远身上。
「林薇,你作为项目总协调,我要你确保三路大军的资源,尤其是人才和资金,必须无限量丶无条件优先保障!金博士,梁工,正面战场,就交给你们了。」
第一路,正面强攻,「光源与光学」突击队。
合城,华夏芯谷深处,新落成的EUV光源实验室。这里的气氛比超净间更加凝重,空气中弥漫着臭氧和金属加热后的特殊气味,巨大的二氧化碳雷射器阵列发出低沉的嗡鸣。
金秉洙博士双眼布满血丝,紧盯着主控屏幕上疯狂跳动的数据。第三次锡滴雷射轰击实验刚刚结束,结果依旧不理想。
「功率稳定度92.3%,距离95%的工程化门槛还差一口气。」
一位年轻工程师声音乾涩地汇报,脸上写满了沮丧。
「锡滴的生成频率和雷射的同步精度,始终有纳秒级的抖动,导致等离子体状态不稳定,EUV光输出功率波动太大。」
纳秒,对于常人而言是无法感知的一瞬,但对于需要以每秒数万次频率精准轰击微米级锡滴的EUV光源来说,却是生与死的界限。
「问题出在哪里?是雷射器的脉冲控制,还是锡滴发生器的机械振动?」
金秉洙的声音嘶哑,他已经在实验室连续盯了48小时。
「我们排查了所有已知的可能。雷射器的稳定性已经做到了当前技术的极限。锡滴发生器的材料在连续高频冲击下,出现了微米级的形变……这可能就是抖动的根源。」
来自华科院东北光机所的专家,指着电子显微镜下的一张材料结构图,眉头紧锁。
「我们需要一种全新的丶具备极高抗疲劳强度和热稳定性的合金材料。」
材料!又是材料!这仿佛是华夏科技向上攀登道路上,永远绕不开的拦路虎。
「国内有能做的吗?」
金秉洙问,心里其实已经有了答案。
「有几家顶尖的材料研究所,但……时间。从配方设计丶熔炼丶到性能测试丶叠代,没有一年半载,很难拿出满足要求的样品。」
一年半载?陈醒给出的两年工程样机时限,瞬间就显得无比紧迫。
就在这时,实验室的门被推开,林薇带着一位身着便装,但气质精干的中年人走了进来。
「金博士,介绍一下,这位是徐文渊教授,国家新材料重点实验室的首席科学家,也是我们『星火计划』最早期的顾问之一。徐教授在耐高温高强合金领域,是国内的绝对权威。」
徐文渊没有寒暄,直接走到显微镜屏幕前,仔细看着那张材料结构图。
「问题很典型。高频冲击下的晶界滑移和再结晶导致的疲劳。传统的镍基合金路线走到头了。」
他抬起头,眼中闪烁着挑战难题的光芒。
「我最近正在验证一种新的铼铱钽三元复合材料理论模型,或许可以解决这个问题。但需要调用国家实验室的兆吨级压力熔炼炉,而且……失败率会很高。」
「需要什麽支持?」 林薇言简意赅。
「钱,人,以及……不怕失败的决心。」
徐文渊看向金秉洙,
「我可以立刻组织团队,但需要你们光源团队提供最详尽的工况参数和失效模型数据。」
「没问题!」
金秉洙眼中重新燃起希望的火光,
「我们全力配合!」
一条新的协作链路,在绝境中迅速搭建起来。
国家力量的深度介入,为这场硬仗带来了新的变数。
第二路,迂回包抄,「工艺与集成」智囊团。
在同一栋楼的另一间大型实验室里,气氛则截然不同。
这里没有震耳欲聋的雷射轰鸣,只有计算机集群散热风扇的呼啸,以及白板上密密麻麻的公式和设计图。
梁志远和通过视频远程接入的章宸正带领着团队,进行着一场「螺蛳壳里做道场」的极限挑战:在不依赖EUV的情况下,利用现有的DUV光刻机,通过多重图形技术和设计-工艺协同优化(DTCO),无限逼近14nm工艺的性能。
屏幕上,复杂的晶片布局图被各种颜色的线条层层分割,代表着一次次的光刻丶刻蚀丶沉积步骤。
「第四次仿真结果出来了。」
一位工程师汇报,声音带着一丝疲惫,
「采用三重图形技术,理论上可以将线宽压缩到16nm,但……工序步骤增加了287%,预计良率……只有可怜的18%。成本是EUV路线的三倍以上。」
18%的良率,三倍的成本!
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