第198章 国产EUV光源突破（1 / 2）

华夏芯谷EUV光源实验室的恒温车间里，空气仿佛被持续数年的高压凝成了固态。

巨大的二氧化碳雷射器阵列占据了半个厂房，发出低沉的嗡鸣，如同蛰伏的巨兽。

核心测试区的观察窗后，金秉洙博士双手紧握护栏，指节因用力而泛白，布满血丝的眼睛死死盯着主控屏幕上那条代表着生命线的绿色曲线，EUV光源实时功率稳定度，此刻正顽强地停留在97.2%。

距离量产要求的98%仅一步之遥，这一步，却如同天堑。

「徐教授，情况不乐观！」

一位年轻工程师快步走到徐文渊身边，递上最新的检测报告，声音带着焦虑，

「连续运行四小时后，锡滴发生器喷嘴的铼铱钽合金表面，出现了微观裂纹！锡滴喷射均匀度正在下降，等离子体稳定性受到影响！」

徐文渊接过报告，目光锐利地扫过扫描电镜图像上那些如同蛛网般蔓延的细微裂纹。

这位材料学泰斗眉头紧锁：

「我们目前的铼铱钽合金，抗疲劳强度已是国内顶尖，但EUV光源的环境太苛刻了，每秒数万次雷射轰击，瞬时温度超两万度，这对任何材料都是极限考验。而且……」

他顿了顿，语气沉重，

「我们通过特殊渠道获取的高纯度铼金属即将耗尽，后续批次国产铼的纯度，恐怕难以维持现有性能。」

林薇站在一旁，脸色凝重。

阿斯莫的封锁不仅限于整机，已蔓延至核心材料和部件。

「金博士，能否调整雷射参数？适当降低峰值功率，延长脉冲宽度，或许能减轻冲击？」

林薇提出设想。

金秉洙缓缓摇头，语气透着疲惫：

「我们试过了。能量一旦降低，EUV输出功率就无法满足14nm工艺的光强需求。这是一个死循环，保性能，损部件；保部件，失性能。」

他看了一眼屏幕旁倒计时的红色数字，

「距离『天权5号』预定的流片窗口，只剩两周了。」

实验室里一片死寂，只有设备运行的嗡鸣，像是在为倒计时敲响丧钟。

就在这时，陈醒的身影出现在实验室门口。

他刚结束与「泛非项目」团队的跨洋会议，脸上带着旅途的疲惫，但眼神依旧清明锐利。

他没有寒暄，径直走到主控屏前，默默观察了十分钟那条起伏不定的曲线。

「问题的核心，是材料极限与能量平衡的矛盾。」

陈醒的声音打破了沉寂，清晰而冷静，

「我们不能在现有框架里打转，必须寻找新的突破点。徐教授，合金配方还有优化空间吗？比如引入新的元素，或者采用表层防护技术？」

陈醒的话让徐文渊眼中一亮：

「常规的合金强化路径我们已走到瓶颈。但如果采用原子层沉积技术，在喷嘴关键区域镀上一层纳米级的特殊保护膜，或许能极大延缓裂纹产生！只是这需要定制专用设备，工艺难度极高，时间……」

「设备和人，我来协调！不惜一切代价！」

陈醒果断拍板，随即看向金秉洙，

「金博士，雷射轰击方式能否改变？既然单点冲击力过大，能否将一束光，分而治之？」

「分而治之？」

金秉洙微微一怔，随即瞳孔收缩，

「您是说……采用微透镜阵列，将主雷射束分割成多个子束，实现多点同步轰击？」

「没错！分散冲击力，但保持总能量不变！甚至可能让锡滴汽化更均匀，提升等离子体稳定性！」

陈醒的思维极具跳跃性。

这个大胆的构想，如同在黑暗的迷宫中点亮了一盏灯！实验室的气氛瞬间被激活！

新的攻坚方向迅速确立。徐文渊团队立刻转向原子层沉积保护膜的研发与工艺验证，林薇协调国内顶尖精密制造企业，日夜赶制专用设备。

金秉洙团队则全力投入到微透镜阵列的光路设计丶控制算法重写以及与光学供应商的紧急协同中。

时间以小时为单位流逝。挑战层出不穷。保护膜的厚度控制精度要求达到原子级别，过厚影响喷射，过薄则毫无作用；微透镜阵列的加工一致性要求极高，子束的能量均衡性调试更是繁琐到了极致。