第199章 天权5号14nm流片（1 / 2）

华夏芯谷，14纳米FinFET工艺实验线。

与EUV光源实验室那种充满能量轰鸣的氛围不同，这里是一片极致精密的绝对静默。

千级洁净室内，只有空调系统低沉的送风声，以及自动化设备机械臂精准移动时发出的丶几不可闻的伺服电机音。

空气里弥漫着淡淡的丶属于特殊化学品和纯水的气息。

梁志远站在工艺监控室内，透过巨大的观察窗，凝视着那条在淡黄色安全灯映照下缓缓流动的晶圆传送带。

第一批承载着「天权5号」设计蓝图的矽晶圆，已经完成了清洗和氧化，正等待着进入光刻区。

他的心脏跳动得异常沉重，阈值电压均匀性的问题，如同最后一颗未能完全拧紧的螺丝，让他寝食难安。

流片前夜的临时攻坚组发挥了作用。通过近乎苛刻地微调离子注入的能量与角度，并将热处理环节的温度均匀性控制在正负0.1摄氏度之内，他们成功将阈值电压的晶圆内均匀性提升了15%，达到了设计规格的上限。

但这只是模拟和样片测试的结果，真正的考验，是面对整批晶圆丶经历上百道复杂工序的大规模生产。

「梁工，第一片晶圆进入第一道光刻工序。」对讲机里传来现场工程师冷静的汇报。

梁志远深吸一口气：「按预定方案执行。重点关注光刻胶涂布均匀性和曝光后关键尺寸的在线量测数据。」

流片，如同一位顶尖主厨按照一份空前复杂的食谱，在微观世界里烹饪一场盛宴。任何一点火候的偏差丶任何一味佐料的不均，都可能导致整道菜肴的失败。

在矽谷，章宸和他的团队同样彻夜未眠。

他们建立了与华夏芯谷实验线的实时数据连接，监控着每一道工序后提取的测试结构的电性参数。

一旦发现任何偏离预期的迹象，他们需要立刻判断是设计问题还是工艺波动，并协同梁志远团队进行调整。

这是一种在刀尖上跳舞的协同，任何误判都可能浪费掉价值数百万美元的晶圆和宝贵的时间。

第一天，平稳度过。关键尺寸控制良好，对准精度完美。

第二天，在淀积某一层超薄高K介质栅氧时，在线量测显示厚度出现了纳米级别的微小波动。

「梁工，介质层厚度在晶圆边缘区域有0.05纳米的系统性偏薄！」 工艺工程师的声音带着紧张。

0.05纳米！对于原子尺度的晶片制造而言，这已是需要警惕的偏差。

梁志远立刻调取该工艺腔体的历史数据，结合实时传感器反馈，迅速判断是腔内气流场出现了微扰。

「调整工艺腔体A的第7区进气阀，开度增加百分之三。重复当前晶圆，监测厚度变化！」

指令迅速下达。经过调整，后续晶圆的介质层厚度恢复了均匀。一次潜在的危机被化解。

然而，最大的挑战出现在第五天，在进行最复杂的后端金属互联层光刻时。

由于采用DUV多重图形技术，需要连续进行四次曝光来定义一层复杂的布线。在第三次曝光后，在线缺陷检测系统发出了尖锐的警报！

「发现系统性缺陷！图形边缘出现随机桥接！」

缺陷扫描图上，代表短路风险的红色斑点如同瘟疫般出现在特定区域。

监控室内的空气瞬间凝固！金属线桥接是晶片的「癌症」，意味着功能彻底失效。

「是光刻胶解析度到了极限？还是显影液浓度波动？」

现场工程师快速提出可能。

梁志远强迫自己冷静，他调出了缺陷分布图丶该层的光罩数据丶以及前后工序的工艺参数，在大脑中飞速进行交叉分析。

「不对！不是光刻胶的问题！」

他猛地指向缺陷分布与光罩图形的叠加图，

「看！缺陷全部集中在图形密度最高的区域，而且呈现出特定的朝向性！这是微负载效应！是我们前一道刻蚀工序，在图形密集区和稀疏区的刻蚀速率存在微小差异，导致了底层形貌的轻微不平整，影响了这次光刻的焦平面！」

这是一个极其隐蔽的丶由前后工序耦合效应引发的连锁问题。

「立刻暂停该层所有批次的处理！」

梁志远当机立断，

「通知刻蚀团队，重新校准针对高图形密度区域的刻蚀配方，引入更高级的终点检测算法！光刻团队，根据新的底层形貌数据，动态调整本次光刻的焦距和曝光量！」

命令被迅速执行。整个实验线为了这突如其来的问题，停顿了宝贵的十二个小时。